Suppression of Gate Leakage and Enhancement of Breakdown Voltage Using Thermally Oxidized Al Layer as Gate Dielectric for AlGaN/GaN Metal–Oxide–Semiconductor High-Electron-Mobility Transistors

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2011-04, Vol.50 (4S), p.4
Hauptverfasser:	Freedsman, Joseph J., Kubo, Toshiharu, Selvaraj, S. Lawrence, Egawa, Takashi
Format:	Artikel
Sprache:	eng ; jpn
Online-Zugang:	Volltext
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