Microstructural Characterization in Reliability Measurement of Phase Change Random Access Memory

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Japanese Journal of Applied Physics 2011-04, Vol.50 (4S), p.4
Hauptverfasser: Bae, Junsoo, Hwang, Kyuman, Park, Kwangho, Jeon, Seongbu, Kang, Dae-hwan, Park, Soonoh, Ahn, Juhyeon, Kim, Seoksik, Jeong, Gitae, Chung, Chilhee
Format: Artikel
Sprache:eng ; jpn
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0021-4922
1347-4065
DOI:10.7567/JJAP.50.04DD12