Annealing Effects on Ge/SiO 2 Interface Structure in Wafer-Bonded Germanium-on-Insulator Substrates

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2011-04, Vol.50 (4S), p.4
Hauptverfasser:	Yoshitake, Osamu, Kikkawa, Jun, Nakamura, Yoshiaki, Toyoda, Eiji, Isogai, Hiromichi, Izunome, Koji, Sakai, Akira
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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