High-Rate Deposition of Amorphous Silicon Films by Microwave-Excited High-Density Plasma

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Japanese Journal of Applied Physics 2011-03, Vol.50 (3R), p.36502
Hauptverfasser: Inoue, Hirotada, Tanaka, Kouji, Sano, Yuichi, Nishimura, Takehiro, Teramoto, Akinobu, Hirayama, Masaki, Ohmi, Tadahiro
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0021-4922
1347-4065
DOI:10.7567/JJAP.50.036502