Residual Strain Evaluation by Cross-Sectional Micro-Reflectance Spectroscopy of Freestanding GaN Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Japanese Journal of Applied Physics 2011-01, Vol.50 (1S1), p.1
Hauptverfasser: Geng, Huiyuan, Yamaguchi, A Atsushi, Sunakawa, Haruo, Sumi, Norihiko, Yamamoto, Kazutomi, Usui, Akira
Format: Artikel
Sprache:eng ; jpn
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0021-4922
1347-4065
DOI:10.7567/JJAP.50.01AC01