Device Applications of Direct Gap Group IV Semiconductors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Japanese Journal of Applied Physics 1983-01, Vol.22 (S1), p.583
1. Verfasser: Goodman, C. H. L.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0021-4922
1347-4065
DOI:10.7567/JJAPS.22S1.583