Selective layer disordering in intersubband Al 0.028 Ga 0.972 N/AlN superlattices with silicon nitride capping layer

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics express 2015-06, Vol.8 (6), p.61004
Hauptverfasser:	Wierer, Jonathan J., Allerman, Andrew A., Skogen, Erik J., Tauke-Pedretti, Anna, Vawter, Gregory A., Montaño, Ines
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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