High-mobility β-Ga 2 O 3 ($\bar{2}01$) single crystals grown by edge-defined film-fed growth method and their Schottky barrier diodes with Ni contact

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics express 2015-03, Vol.8 (3), p.31101
Hauptverfasser:	Oishi, Toshiyuki, Koga, Yuta, Harada, Kazuya, Kasu, Makoto
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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