Impact of CF 4 plasma treatment on threshold voltage and mobility in Al 2 O 3 /InAlN/GaN MOSHEMTs

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics express 2014-03, Vol.7 (3), p.31002
Hauptverfasser:	Hu, Zongyang, Yue, Yuanzheng, Zhu, Mingda, Song, Bo, Ganguly, Satyaki, Bergman, Josh, Jena, Debdeep, Xing, Huili Grace
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!