Demonstration of 1.0 µm InGaAs High-Power and Broad Spectral Bandwidth Superluminescent Diodes by Using Dual Quantum Well Structure

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics express 2013-01, Vol.6 (1), p.14101
Hauptverfasser:	Ohgoh, Tsuyoshi, Mukai, Atsushi, Yaguchi, Junya, Asano, Hideki
Format:	Artikel
Sprache:	eng ; jpn
Online-Zugang:	Volltext
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