Low-temperature (150 °C) activation of Ar+O 2 +H 2 -sputtered In–Ga–Zn–O for thin-film transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics express 2018-08, Vol.11 (8), p.81101
Hauptverfasser:	Aman, S. G. Mehadi, Magari, Yusaku, Shimpo, Kenta, Hirota, Yuya, Makino, Hisao, Koretomo, Daichi, Furuta, Mamoru
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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