GaN growth via tri-halide vapor phase epitaxy using solid source of GaCl 3 : investigation of the growth dependence on NH 3 and additional Cl 2

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2019-06, Vol.58 (SC), p.SC1022
Hauptverfasser:	Takekawa, Nao, Takahashi, Machi, Kobayashi, Mayuko, Kanosue, Ichiro, Uno, Hiroyuki, Takemoto, Kikurou, Murakami, Hisashi
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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