High quality nitride semiconductors grown on novel ScAlMgO 4 substrates and their light emitting diodes

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2019-06, Vol.58 (SC), p.SC1041
Hauptverfasser:	Ueta, Akio, Ohno, Hiroshi, Yanagita, Naoto, Ryoki, Naoya, Miyano, Kentaro, Ishibashi, Akihiko, Nobuoka, Masaki
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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