Improvement of the stability of an electric double-layer transistor using a 1 H ,1 H ,2 H ,2 H -perfluorodecyltriethoxysilane barrier layer

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2019-04, Vol.58 (4), p.40907
Hauptverfasser:	Liu, Yang, Fujii, Mami N, Ishida, Shoma, Ishikawa, Yasuaki, Miwa, Kazumoto, Ono, Shimpei, Bermundo, Juan Paolo Soria, Fujita, Naoyuki, Uraoka, Yukiharu
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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