Mapping of a Ni/SiN x /n-SiC structure using scanning internal photoemission microscopy

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2019-04, Vol.58 (SB), p.SBBC02
Hauptverfasser:	Shiojima, Kenji, Hashizume, Takanori, Sato, Masaru, Takeyama, Mayumi B.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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