Hetero-epitaxial growth of a GaN film by the combination of magnetron sputtering with Ar/Cl 2 gas mixtures and a separate supply of nitrogen precursors from a high density radical source

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2019-02, Vol.58 (SA), p.SAAF04
Hauptverfasser:	Tanide, Atsushi, Nakamura, Shohei, Horikoshi, Akira, Takatsuji, Shigeru, Kohno, Motohiro, Kinose, Kazuo, Nadahara, Soichi, Nishikawa, Masazumi, Ebe, Akinori, Ishikawa, Kenji, Hori, Masaru
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!