Gate Leakage Current in GaN HEMT’s: A Degradation Modeling Approach

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Electrical and electronic engineering (El Monte, Calif.) Calif.), 2013-01, Vol.2 (6), p.397-402
Hauptverfasser:	Mimouni, A., Fernández, T., Rodriguez-Tellez, J., Tazon, A., Baudrand, H., Boussuis, M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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