A 10 dBm-25 dBm, 0.363 mm2 Two Stage 130 nm RF CMOS Power Amplifier

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	International journal of VLSI design & communication systems 2013-10, Vol.4 (5), p.107-116
Hauptverfasser:	R. Sahu, Shridhar, A.Y, Deshmukh
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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