First-Principles Investigation of Charge Transfer Mechanism of B-Doped 3C-SiC Semiconductor Material

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	World journal of condensed matter physics 2024, Vol.14 (2), p.35-44
Hauptverfasser:	Dauda, Abdullahi Alkali, Onimisi, Muhammad Yusuf, Owolabi, Adeyemi Joshua, Lawal, Hammed Adeneyi, Gambo, Hassan Muhammad, Aliyu, Bashir Mohammed, Bala, Surajo, Madugu, Muhammad Lamido, Nainna, Muhammad Abdurrahman, Bamikole, Johnson Akinade
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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