Mg Tilted-Angle Ion Implantation for Threshold Voltage Control and Suppression of the Short Channel Effect in GaN MISFETs

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of materials science and chemical engineering 2017, Vol.5 (1), p.48-53
Hauptverfasser:	Kasai, Hayao, Oikawa, Takuya, Mishima, Tomoyoshi, Nakamura, Tohru
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!