Improved Evaluation Method for the SRAM Cell Write Margin by Word Line Voltage Acceleration

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Circuits and systems (Irvine, Calif.) Calif.), 2012, Vol.3 (3), p.242-251
Hauptverfasser:	Makino, Hiroshi, Okada, Naoya, Matsumura, Tetsuya, Nii, Koji, Yoshimura, Tsutomu, Iwade, Shuhei, Matsuda, Yoshio
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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