Effect of Sn Composition in Ge1−xSn x Layers Grown by Using Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of the Korean Physical Society 2018-05, Vol.72 (9), p.1063-1068
Hauptverfasser:	Kil, Yeon-Ho, Kang, Sukill, Jeong, Tae Soo, Shim, Kyu-Hwan, Kim, Dae-Jung, Choi, Yong-Dae, Kim, Mi Joung, Kim, Taek Sung
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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