Impact of the Parameters for a Chemically-amplified Resist on theLine-edge-roughness by Using a Molecular-scale LithographySimulation

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of the Korean Physical Society 2009-08, Vol.55 (2), p.675-680
Hauptverfasser: Kim, Sang-Kon, Oh, Hye-Keun, Jung, Young-Dae, An, Ilsin
Format: Artikel
Sprache:eng ; jpn
Online-Zugang:Volltext
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0374-4884
DOI:10.3938/jkps.55.675