Analysis of the Short-Channel Effect in 50 nm InAlAs/InGaAs Metamorphic High Electron Mobility Transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Korean Physical Society 2008-12, Vol.53 (6), p.3267-3272
Hauptverfasser:	Lee, Jae-Seo, Oh, Jung-Hun, Lim, Byeong-Ok, Rhee, Jin-Koo, Kim, Sam-Dong
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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