An Analytical Model for a Gate-Induced-Drain-Leakage Current in a Buried-Channel PMOSFET

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Korean Physical Society 2003-11, Vol.43 (5), p.863-867
Hauptverfasser:	Kim, Seong-Ho, Kim, Sung-Eun, Park, Joo-Han, Kim, Sung-Hoan, Kim, Myung-Soo, Koo, Jung-Mo, Kim, Byung-Sun, Kim, Eun-Soo, Lee, Soo-Cheol, Choi, Chang-Sik
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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