Growth of High Quality Mg-doped GaAs by molecular Beam Epitaxy and Its properties

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of the Korean Physical Society 2001-12, Vol.39 (9(1)), p.S518-S521
Hauptverfasser:	Kim, Jong Su, Lee, D. Y., Bae, I. H., Lee, J. I., Noh, S. K., Kim, Jin Soo, Kim, Gu Hyun, Ban, Seungil, Kang, Se-Kyung, Kim, S. M., Leem, J. Y., Jeon, M., Son, J. S.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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