Performance Analysis of 6-Transistor Full Adder Circuit using PTM 32 nm Technology LP-MOSFETs and DG-FinFETs

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of Engineering and Applied Sciences 2020, Vol.15 (2), p.501-507
1. Verfasser:	Ishraqul Huq, S.M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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