An Investigation of Carbon-Doping-Induced Current Collapse in GaN-on-Si High Electron Mobility Transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Electronics (Basel) 2016-06, Vol.5 (4), p.28
Hauptverfasser:	Tzou, An-Jye, Hsieh, Dan-Hua, Chen, Szu-Hung, Liao, Yu-Kuang, Li, Zhen-Yu, Chang, Chun-Yen, Kuo, Hao-Chung
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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