[Paper] A CMOS Image Sensor with 240 μV/e- Conversion Gain, 200 ke- Full Well Capacity, 190-1000 nm Spectral Response and High Robustness to UV light

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Veröffentlicht in:	ITE TRANSACTIONS ON MEDIA TECHNOLOGY AND APPLICATIONS 2016, Vol.4 (2), p.116-122
Hauptverfasser:	Nasuno, Satoshi, Wakashima, Shunichi, Kusuhara, Fumiaki, Kuroda, Rihito, Sugawa, Shigetoshi
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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