Determining the parameters of silicon ions implanted into dielectric layers by spectroscopic ellipsometry

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Optoelectronics, instrumentation, and data processing instrumentation, and data processing, 2007-10, Vol.43 (5), p.445-452
Hauptverfasser:	Shvets, V. A., Prokopyev, V. Yu, Chikichev, S. I., Aulchenko, N. A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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