Structure and principal electrophysical properties of Ge1 − x -Si x thin films

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Surface engineering and applied electrochemistry 2009-04, Vol.45 (2), p.161-166
Hauptverfasser:	Abbasov, Sh. M., Agaverdiieva, G. T., Baitsar, A. S., Faradzhova, U. F., Mekhdevi, G. M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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