Spectral Photosensitivity ofpSi—n(ZnSe)1−x−y(Si2)x(GaP)y Structures

Epitaxial layers of substitutional solid solution (ZnSe) 1−x−y (Si 2 ) x (GaP) y (0.1 ≤ x ≤ 1, 0≤ y ≤0.9) on p Si substrates were developed from a limited volume of tin solution-melt using the method of a liquid phase epitaxy. The spectral dependency of photosensitivity of the p Si— n (ZnSe) 1 − x −...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied solar energy 2010-11, Vol.46 (3), p.209-211
Hauptverfasser:	Saidov, A. S., Usmonov, Sh. N., Rakhmonov, U. Kh
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Electrical Machines and Networks Engineering Heliotechnical Materials Science Power Electronics
Online-Zugang:	Volltext
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