Recent Progress and Applications of HfO 2 -Based Ferroelectric Memory

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Tsinghua science and technology 2023-04, Vol.28 (2), p.221-229
Hauptverfasser:	Liu, Xiao, Geng, Xiangshun, Liu, Houfang, Shao, Minghao, Zhao, Ruiting, Yang, Yi, Ren, Tian-Ling
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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