Production of InN semiconductor film by atomic layer epitaxy technique

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Bulletin of the Japan Institute of Metals 1993, Vol.32 (9), p.613-615
1. Verfasser:	HIGUCHI, KAZUTO
Format:	Artikel
Sprache:	jpn
Online-Zugang:	Volltext
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