Development of High Temperature and Frequency Operation Module Using SiC Semiconductor

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	JOURNAL OF THE JAPAN WELDING SOCIETY 2018, Vol.87(7), pp.499-502
Hauptverfasser:	TANISAWA, Hidekazu, SATO, Shinzi, KATO, Humiki, KOUI, Kenichi, WATANABE, Kinuyo
Format:	Artikel
Sprache:	eng ; jpn
Schlagworte:	SiC
Online-Zugang:	Volltext
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