1.3μm InGaAsP/InP Buried Crescentレーザーダイオード

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Rēzā kenkyū 1981, Vol.9(Supplement), pp.118-118,123
Hauptverfasser: 大村, 悦司, 樋口, 英世, 平野, 良一, 浪崎, 博文, 須崎, 渉, 鈴木, 範人, 佐藤, 秀朗, 高森, 晃, 吉森, 久, 朝倉, 宏之, 小塩, 高文
Format: Artikel
Sprache:eng ; jpn
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0387-0200
1349-6603
DOI:10.2184/lsj.9.Supplement_118