Термомеханические эффекты радиационного происхождения в изделиях микроэлектроники

Представлена математическая модель термомеханического воздействия проникающего излучения на изделие микроэлектроники. Модель основана на уравнениях термоупругости, которые являются следствием квантовых кинетических уравнений для фононов. Перенос тепла описан законом сохранения энергии и уравнением Каттанео, которое учитывает конечность скорости распространение тепла. Колебания решетки рассмотрены в приближении линейной теории упругости. В целом модель определяет распределение температуры, потока энергии, деформации и напряжения. Разработаны разностные схемы для решения уравнений модели. Эффективность разработанной модели проверена путем решения задачи о термоударе. A mathematical model of the thermomechanical effect of penetrating radiation on a microelectronic product is presented. The model is based on the thermoelasticity equations, which are a consequence of the quantum kinetic equations for phonons. Heat transport is described by the law of conservation of energy and the Cattaneo equation, which takes into account the finite rate of heat propagation. Lattice vibrations are considered in the approximation of the linear theory of elasticity. In general, the model determines the distribution of temperature, energy flow, deformation and stress. Difference schemes have been developed for solving the model equations. The effectiveness of the developed model was tested by solving the problem of thermal shock.