Threshold-voltage recovery of a-Si:H digital circuits

— A‐Si:H thin‐film transistors demonstrate threshold voltage recovery of several volts after room‐temperature rest with no applied voltage. The extent to which this phenomenon can be used to extend the operational lifetime of a‐Si:H digital circuits is examined and is shown to be strictly limited....

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of the Society for Information Display 2006-11, Vol.14 (11), p.1053-1057
Hauptverfasser:	Venugopal, Sameer M., Allee, David R., Li, Zi, Clark, Lawrence T.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Amorphous silicon circuit aging thin-film transistor threshold-voltage shift
Online-Zugang:	Volltext
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