Highly Sensitive Gate/Body-Tied Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor-Type Photodetector with Wavelength-Selective Metal Grid Structure Using Standard Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Technology
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Sensors and materials 2015 |
|---|---|
| Format: | Artikel |
| Sprache: | eng |
| Online-Zugang: | Volltext |
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