Highly Sensitive Gate/Body-Tied Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor-Type Photodetector with Wavelength-Selective Metal Grid Structure Using Standard Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Technology
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Veröffentlicht in: | Sensors and materials 2015 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Online-Zugang: | Volltext |
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Zusammenfassung: | |
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ISSN: | 0914-4935 |
DOI: | 10.18494/SAM.2015.1054 |