On the Application of a Transistor Square 3-line Matrix for Redundancy in Digital Nano- and Microintegrated Circuits under Irradiated

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Nano- i mikrosistemnai͡a︡ tekhnika = Journal of "nano and microsystem technique." 2018-09, Vol.20 (9), p.561-575
Hauptverfasser:	Aleksandrov, P.A., Zhuk, V.I., Litvinov, V.L.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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