Optoelectronic Properties of Thin Hydrogenated α-Si1–xGex:H (x = 0÷1) Films Produced by Plasma Chemical Deposition Technique

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Ukrainian journal of physics (Kiev) 2014-10, Vol.59 (10), p.959-966
Hauptverfasser:	Najafov, B.A., Dadashova, V.V.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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