Influence of High Temperature Annealing on the Structure and the Intrinsic Absorption Edge of Thin-Film Silicon Doped with Tin

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Ukrainian journal of physics (Kiev) 2013-01, Vol.58 (8), p.769-772
Hauptverfasser:	Rudenko, R.M., Voitovych, V.V., Kras’ko, M.M., Kolosyuk, A.G., Kraichynskyi, A.M., Yukhymchuk, V.O., Makara, V.A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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