Ultra-high field transport in GaN-based heterostructures

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Semiconductor physics, quantum electronics, and optoelectronics quantum electronics, and optoelectronics, 2006-10, Vol.9 (3), p.66-69
1. Verfasser: Vitusevich, S. A.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:1560-8034
1605-6582
DOI:10.15407/spqeo9.03.066