Experimental study and theoretical analysis of photoelectric characteristics of AlxGa1–xAs–p-GaAs–n-GaAs-based photoconverters with relief interfaces

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor physics, quantum electronics, and optoelectronics quantum electronics, and optoelectronics, 2005-05, Vol.8 (1), p.72-78
1. Verfasser:	Dmitruk, N. L.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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