Thermoelasticity in Ge due to nonuniform distribution of doping impurity studied by light polarization modulation technique

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor physics, quantum electronics, and optoelectronics quantum electronics, and optoelectronics, 1999-05, Vol.2 (1), p.153-156
Hauptverfasser:	Serdega, B. K., Venger, Ye. F., Nikitenko, Ye. V.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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