Influence of γ-irradiation (60Со) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor physics, quantum electronics, and optoelectronics quantum electronics, and optoelectronics, 2012-03, Vol.15 (1), p.26-31
1. Verfasser:	Gaidar, G. P.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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