Hall mobility of charge carriers in films of (PbX)1-x(Sm2X3)x semiconductors formed on porous silicon
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| Veröffentlicht in: | Semiconductor physics, quantum electronics, and optoelectronics quantum electronics, and optoelectronics, 2008-10, Vol.11 (4), p.356-359 |
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| Format: | Artikel |
| Sprache: | eng |
| Online-Zugang: | Volltext |
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