Hall mobility of charge carriers in films of (PbX)1-x(Sm2X3)x semiconductors formed on porous silicon

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor physics, quantum electronics, and optoelectronics quantum electronics, and optoelectronics, 2008-10, Vol.11 (4), p.356-359
1. Verfasser:	Hasanov, H. A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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