Link between O 2 SiH Infrared Band Amplitude and Porous Silicon Photoluminescence During Ambient O 3 Oxidation

We carefully evaluate how porous silicon (pSi) surface oxidation by ozone (O 3 ) and the resulting changes in nanocrystallite surface chemistries (e.g., SiOSi, SiH x ( x = 1–3), O y SiH ( y = 1–2), and SiOH) influence the pSi photoluminescence (PL). We discover a relationship between the pSi PL and...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied spectroscopy 2012-08, Vol.66 (8), p.951-957
Hauptverfasser:	Caras, Caley A., Reynard, Justin M., Deuro, Randi E., Bright, Frank V.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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